FF450R12IE4 三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com
英飞凌FF450R12IE4
产品用途和特性
英飞凌FF450R12IE4 IGBT模块是一种功率晶体,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。通过对IGBT的开通和关断的控制,可以轻松的实现逆变过程和变频控制。英飞凌FF450R12IE4 IGBT主要应用于逆变焊机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A
【FF450R12IE4产品参数】
产品: | IGBT Silicon Modules |
品牌和型号 | 英飞凌FF450R12IE4 |
配置: | Dual |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V |
在25 C的连续集电极电流: | 450 A |
最大工作温度: | + 150 C |
封装 / 箱体: | PRIME2 |
商标: | Infineon Technologies |
栅极/发射极最大电压: | +/- 20 V |
最小工作温度: | - 40 C |
安装风格: | Screw |
工厂包装数量: | 3 |
【FF450R12IE4 产品外形尺寸和结构图】
【FF450R12IE4 电路图】
【FF450R12IE4 工作原理】
在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。
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