英飞凌FF1400R12IP4
三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com
英飞凌FF1400R12IP4
产品作用和特性
英飞凌FF1400R12IP4 是带有温度检测NTC的PrimePACK™3模块，采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管,其电气有很强的坚固性，高短路能力，并带有自限制短路电流 ，辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、牵引变流器、风力发电机、UPS系统等工业电子设备中得到广泛的应用。
英飞凌FF1400R12IP4 IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
英飞凌FF1400R12IP4 机械特性
• 4kV交流1分钟绝缘
• 封装的CTI>400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率循环和温度循环能力
• 高功率密度
• 低热阻衬底
基本参数：1400A/1700V/2U PrimePACK™3模块
【英飞凌FF1400R12IP4 封装尺寸和结构图】
【英飞凌FF1400R12IP4 产品参数】
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF1000R17IE4D_B2 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 1400A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 20mW |
| 总功率损耗 | 7.65 KW |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME3 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 产品报价和PDF资料： | 联系索取或咨询 |
【英飞凌FF1400R12IP4 电路图】
【FF1400R12IP4 IGBT工作原理】
IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
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