2MBI100SC-120富士
三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓电子有限公司0755-83293082
2MBI100SC-120
【产品特性和运用】
富士IGBT模块2MBI100SC-120低电压感结构模块是电压驱动广泛运用于电机驱动的变频器，AC和DC伺服驱动放大器，不间断电源以及工业机械如，焊接机中，是1200/100A中的一个包。
【富士2MBI100SC-120 封装尺寸外形结构图】
富士 2MBI100SC-120 产品参数
封装材料：塑料封装
极数：多极
封装外形：平板形
品牌：FUJI/富士通
型号：2MBI100SC-120
控制方式：IGBT模块
关断速度：高频(快速)
散热功能：不带散热片
频率特性：高频
功率特性：大功率
额定正向平均电流：100（A）
控制极触发电流：1（mA）
最大稳定工作电流：100（A）
反向重复峰值电压：1200（V）
控制极触发电压：1（V）
正向重复峰值电压：1200（V）
反向阻断峰值电压：1200（V）
产品质量：240g
【富士2MBI100SC-120 等效电路示意图】
2MBI100SC-120 IGB模块工作原理
IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
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