Infineon代理直销FF150R12RT4 150A/1200V IGBT模块三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓电子有限公司0755-83293082
品牌:Infineon(英飞凌)
型号:FF150R12RT4
FF150R12RT4 IGBT模块特征:
●Tvj op=150oC
●VCES=1200V IC nom=150A/ ICRM=300A
●扩展工作温度Tvj op
●低开关损耗
应用范围:
●UPS
●高频开关
●马达驱动器
FF150R12RT4 IGBT模块最大额定值:
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage |
Tvj= 25°C |
VCES |
1200 |
V |
Kollektor Dauergleichstrom DC collector current |
Tc= 100°C,Tvj= 175°C |
IC, nom |
150 |
A |
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current |
tp= 1ms |
ICRM |
300 |
A |
Gesamt Verlustleistung total power dissipation |
Tc= 25°C; Tvj=175°C |
Ptot |
790 |
W |
Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage |
|
VGES |
±/-20 |
V |
FF150R12RT4 IGBT模块电路图: